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1. (WO1981002947) FABRICATION DE DISPOSITIFS MICROMINIATURISES PAR GRAVURE AU PLASMA DU SILICIUM ET PRODUITS RESULTANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/002947    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000349
Date de publication : 15.10.1981 Date de dépôt international : 20.03.1981
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
138083 07.04.1980 US
Titre (EN) FABRICATION OF MICROMINIATURE DEVICES USING PLASMA ETCHING OF SILICON AND RESULTANT PRODUCTS
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS MICROMINIATURISES PAR GRAVURE AU PLASMA DU SILICIUM ET PRODUITS RESULTANTS
Abrégé : front page image
(EN)Fabrication of microminiature devices, such as integrated circuit utilizing the delineation of fine-line patterns in such devices by dry etching processes. By utilizing a fluorine-containing gaseous compound in a plasma etching process, isotropic etching of doped or undoped monocrystalline silicone (48) and polycrystalline silicon (54) is achieved. The etching processes are substantially free of any proximity effects and are characterized by a high etching rate at relatively low power levels, high selectivity (with respect to, for example, silicon dioxide) and excellent uniformity. By mixing other gases (for example, chlorine) with the fluorine-containing gas the amount of undercutting achieved during the etching process can be selectively controlled.
(FR)Fabrication de dispositifs microminiaturises, tels que circuits integres en utilisant des procedes de gravure par voie seche pour obtenir le tracage de reseaux de lignes fines dans ces dispositifs. En utilisant un compose gazeux contenant du fluor dans un procede de gravure au plasma, on obtient une gravure isotrope de silicium polycristallin (54) et de silicium monocristallin (48) dope ou non dope. Les procedes de gravure sont sensiblement exempts de tout essai de proximite et se caracterisent par une vitesse elevee de gravure a des niveaux de puissance relativement faibles, une selectivite elevee (par exemple, par rapport au dioxyde de silicium) et une excellente uniformite. En melangeant d'autres gaz (par exemple du chlore) avec le gaz contenant du fluor, le taux de minage pendant le procede de gravure peut etre controlee de maniere selective.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)