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1. (WO1981001923) OSCILLATEUR CMOS DE FAIBLE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/001923    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001368
Date de publication : 09.07.1981 Date de dépôt international : 14.10.1980
CIB :
H03K 3/354 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
108913 31.12.1979 US
Titre (EN) LOW POWER CMOS OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR CMOS DE FAIBLE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A low power, single pin (10) CMOS oscillator exhibits good frequency stability with voltage supply variations. The oscillator uses a capacitor (11) which is connected to the inputs of two inverters (13, 14). One inverter (13) is used to drive a P-channel transistor (17) and the other inverter (14) is used to drive an N-channel transistor (18). Both P-channel and N-channel transistors (17, 18) are connected in series and provide an output from a junction (19) formed between the two transistors. A latch is connected to the junction formed between the two transistors and the output of the latch is coupled to a capacitor (11) to charge and discharge the capacitor (11).
(FR)Un oscillateur CMOS a une seule broche (10) de faible puissance presente une bonne stabilite de frequence avec des variations d'alimentation de tension. L'oscillateur utilise un condensateur (11) qui est connecte aux entrees de deux inverseurs (13, 14). Un inverseur (13) est utilise pour commander un transistor a canaux P (17) et l'autre inverseur (14) est utilise pour commander un transistor a canaux N (18) les deux transistors a canaux P et N (17, 18) sont connectes en serie et fournissent une sortie depuis une jonction (19) formee entre les deux transistors. Une bascule est connectee a la jonction formee entre les deux transistors et la sortie de la bascule est couplee a un condensateur (11) pour charger et decharger le condensateur (11).
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)