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1. (WO1981001630) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SENSIBLE MAGNETIQUEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/001630    N° de la demande internationale :    PCT/JP1980/000288
Date de publication : 11.06.1981 Date de dépôt international : 26.11.1980
CIB :
H01L 43/06 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79/154662 29.11.1979 JP
Titre (EN) MAGNETICALLY SENSITIVE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SENSIBLE MAGNETIQUEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A magnetically sensitive semiconductor device for producing a Hall-voltage output in the presence of a magnetic filed. A carrier, which has been injected from the junction between first and second semiconductor regions, is accelerated by means of an electric field in a depletion layer located at the junction between second and third semiconductor regions. The arrangement is such that, owing to the high speed of the carrier, a higher Hall output voltage can be obtained even for comparatively small electric currents.
(FR)Un dispositif semiconducteur sensible magnetiquement est destine a produire une sortie de tension-Hall en presence d"un champ magnetique. Un porteur, qui a ete injecte a partir de la jonction entre la premiere et la seconde regions a semiconducteurs est accelere a l"aide d"un champ electrique dans une couche d"appauvrissement situee a la jonction entre la seconde et la troisieme regions a semiconducteurs Cette conception permet, grace a la vitesse elevee du porteur, d"obtenir une tension de sortie de Hall plus elevee meme pour des courants electriques relativement plus faibles.
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)