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1. (WO1981001016) REDUCTION DES CONTRAINTES DANS DES MONOCRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/001016    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001147
Date de publication : 16.04.1981 Date de dépôt international : 08.09.1980
CIB :
C30B 27/02 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
84070 12.10.1979 US
Titre (EN) MINIMIZATION OF STRAIN IN SINGLE CRYSTALS
(FR) REDUCTION DES CONTRAINTES DANS DES MONOCRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)Single crystals are conveniently produced by directional solidification of a liquid body under a pressurized atmosphere and, preferably, under a liquid encapsulating layer to minimize loss due to volatilization. Such production entails a concern for internal stress in a grown crystal in the interest of minimization of breakage of wafers cut from a crystal. According to the invention, minimization of stress is accomplished by a post-growth annealing step during which pressure is reduced substantially, preferably to a pressure which does not exceed 50% of a pressure at which a constituent of the liquid body volatilizes, while substantially maintaining the temperature of the annealing step. The method may be applied for producing single crystals of semiconductor materials as may be used as device substrates. In particular, the method is beneficial for producing high-quality doped or undoped InP, GaP and GaAs single crystals.
(FR)Des monocristaux sont produits de maniere appropriee par solidification directionnelle d'un corps liquide sous une atmosphere pressurisee et, de preference, sous une couche d'encapsulation de liquide pour reduire au minimum les pertes dues a la volatilisation. Une telle production est sujette a l'apparition de contraintes internes lors de la croissance d'un cristal, contraintes qu'il convient de reduire afin de reduire au minimum les cassures de tranches decoupees a partir d'un cristal. La reduction au minimum des contraintes est effectuee par un recuit apres croissance pendant lequel la pression est sensiblement reduite, de preference jusqu'a une pression qui ne depasse pas 50% d'une pression a laquelle un composant du corps liquide se volatilise, tout en maintenant sensiblement la temperature de recuit. Le procede peut etre applique a la production de monocristaux de materiaux semi-conducteurs tels que des substrats. En particulier, le procede se prete particulierement bien a la production des monocristaux InP, GaP et GaAs dopes ou non dopes d'excellente qualite.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)