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1. (WO1981000932) CONTACT OHMIQUE DANS UN SEMI-CONDUCTEUR INP OU INGAASP DU TYPE P
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000932    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001079
Date de publication : 02.04.1981 Date de dépôt international : 22.08.1980
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79451 27.09.1979 US
Titre (EN) OHMIC CONTACT TO P-TYPE INP OR INGAASP
(FR) CONTACT OHMIQUE DANS UN SEMI-CONDUCTEUR INP OU INGAASP DU TYPE P
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor device comprising a p-type InP or InGaAsP semiconductor material and an ohmic contact to a surface of the semiconductor material and a process for producing the same. The ohmic contact includes, in succession from the said surface, a layer of beryllium gold and a layer of gold. The surface containing the layers is heat-treated at a temperature of 440 C or less for a residence time of at least one minute. Optionally, a layer of palladium may be positioned intermediate the surface and the beryllium-gold layer permitting heat treatment at lower temperatures e.g., less than 420 C.
(FR)Dispositif a semi-conducteur comprenant un materiau semi-conducteur InP ou InGaAsP du type P et un contact ohmique a une surface du materiau semi-conducteur et procede de production dudit contact. Le contact ohmique se compose, successivement a partir de ladite surface, d'une couche de berillium et d'or et d'une couche d'or. La surface sur laquelle sont deposees les couches est traitee a la chaleur a une temperature inferieure ou egale a 440 C pendant un temps de residence d'au moins une minute. Au choix, une couche de palladium peut etre positionnee entre la surface et la couche d'or et de beryllium permettant un traitement a la chaleur a des temperatures moins elevees, c'est-a-dire moins que 420 C.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)