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1. (WO1981000931) PROCEDE D'IMPLANTATION SELECTIVE D'UN PUITS DU TYPE P DANS UN DISPOSITIF CMOS ET DISPOSITIF FABRIQUE SELON CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000931    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001154
Date de publication : 02.04.1981 Date de dépôt international : 08.09.1980
CIB :
H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
77383 20.09.1979 US
Titre (EN) CMOS P-WELL SELECTIVE IMPLANT METHOD,AND A DEVICE MADE THEREFROM
(FR) PROCEDE D'IMPLANTATION SELECTIVE D'UN PUITS DU TYPE P DANS UN DISPOSITIF CMOS ET DISPOSITIF FABRIQUE SELON CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a complementary metal-oxide-silicon (CMOS) integrated circuit device by forming a composite layer of oxide and nitride on the surface of a silicon substrate defined into predetermined areas for the subsequent formation of transistors, marking the substrate to expose preselected areas for P-wells, ion implanting P-type material (44 and 46 in Fig. 4) in the exposed areas to form P-wells so that a relatively high doping level is established under the composite layer areas with the P-wells. The regions (42 and 40) of Fig. 2; (42 and 46) of Fig. 4 and (38 and 36) of Fig. 9 illustrate the inventive concept. Fig. 2 represents a CMOS device made in accordance with the present invention. The ion implantation of P-type material may be accomplished in either a single stage or a two stage procedure.
(FR)Methode de fabrication d'un dispositif a circuit integre CMOS (metal-oxyde-silicium complementaire) par formation d'une couche composite d'oxyde et de nitrure sur la surface d'un substrat de silicium defini dans des regions predeterminees pour la formation ulterieure de transistors, par marquage du substrat pour exposer les regions preselectionnees a des puits du type P, par implantation ionique d'un materiau du type P (44 et 46 dans la figure 4) dans les regions exposees pour former des puits P de maniere a etablir un niveau de dopage relativement eleve sous les zones de la couche composite avec les puits P. Les regions (42 et 40 de la figure 2, 42 et 46 de la figure 4 et 38 et 36 de la figure 9) illustrent le concept inventif. La figure 2 represente un dispositif CMOS fabrique selon le present procede. L'implantation ionique d'un materiau du type P peut s'effectuer soit en une seule etape soit en deux etapes.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)