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1. (WO1981000930) PROCEDE ET APPAREIL DE LITHOGRAPHIE A RAYONS IONIQUES UTILISANT UNE EXPOSITION A COPIER EN REPETITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000930    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001176
Date de publication : 02.04.1981 Date de dépôt international : 12.09.1980
CIB :
H01J 37/317 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
78539 24.09.1979 US
Titre (EN) ION BEAM LITHOGRAPHY PROCESS AND APPARATUS USING STEP-AND-REPEAT EXPOSURE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE LITHOGRAPHIE A RAYONS IONIQUES UTILISANT UNE EXPOSITION A COPIER EN REPETITION
Abrégé : front page image
(EN)A high-resolution, high-throughput ion beam lithography process and apparatus is used in the fabrication of semiconductor integrated circuits and devices. Lateral wafer distortions which occur in wafer workpieces create the problem of accurate alignment of the ion beam with the wafer. Furthermore, it is difficult to produce a collimated ion beam of sufficient diameter for a large area target. These problems are overcome by exposing selected segments of the wafer to a projected ion beam pattern in a step-and-repeat manner until the entire target is exposed, thereby optimizing the resolution, throughput, yield and cost of the process. First there is provided: a target (12) having predetermined segments (14) defined thereon; a mask (16) placed in proximity to the target (12), to define the patterned ion beam; a collimated ion beam which is projected through the mask (16) to form the patterned ion beam; and a means (22, 34, 35) for aligning the mask (16) and a selected segment (14) of the target (12). The size of the pattern area of the mask (16) is approximately equal to the size of one of the predetermined segments (14) of the target (12). Next, the mask (16) is aligned with a first selected segment (14) of the target (12) and this first segment (14) is exposed to the patterned ion beam, formed by projecting the collimated ion beam through the mask (16). Then, the mask (16) is aligned with a second selected segment of the target (12) and this second segment is exposed to the patterned ion beam.
(FR)Un procede et un appareil de lithographie a rayons ioniques de haute resolution, de rendement eleve sont utilises dans la fabrication de dispositifs et de circuits integres a semi-conducteurs. Les distorsions laterales des tranches qui se produisent dans les pieces a usiner des tranches posent le probleme de l'alignement precis du rayon ionique avec la tranche. De plus, il est difficile de produire un rayon ionique collimate de diametre suffisant pour une cible de grande surface. Ces problemes sont surmontes en exposant des segments selectionnes de la tranche sur un modele a rayons ioniques projetes suivant un mode de copiage par repetitions jusqu'a ce que toute la cible soit exposee, optimisant ainsi la resolution, le rendement, la production et le cout du procede. Premierement, on utilise une cible (12) ayant des segments predetermines (14) definis sur celle-ci, un masque (16) place a proximite de la cible (12) pour definir le rayon ionique configure, un rayon ionique collimate projete au travers du masque (16) pour former le rayon ionique configure, et des moyens (22, 34, 35) d'alignement du masque (16) et un segment selectionne (14) de la cible (12). La dimension de la surface de configuration du masque (16) est approximativement egale a la dimension de l'un des segments predetermines (14) de la cible (12). Ensuite, le masque (16) est aligne avec un premier segment selectionne (14) de la cible (12) et ce premier segment (14) est expose aux rayons ioniques configures, formes par projection du rayon ionique collimate au travers du masque (16). Finalement le masque (16) est aligne avec un second segment selectionne de la cible (12) et ce second segment est expose aux rayons ioniques configures.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)