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1. (WO1981000790) DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE A PORTE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000790    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001179
Date de publication : 19.03.1981 Date de dépôt international : 11.09.1980
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
74840 13.09.1979 US
Titre (EN) SILICON GATE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE A PORTE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory device includes a semiconductor substrate (16), a thin, 10-15 Angstroms thick, memory oxide layer (11), a silicon nitride layer (12), a 70-100 Angstroms thick interfacial oxide layer (13), and a polysilicon gate electrode (14). The interfacial oxide layer (13) is formed by chemical vapor deposition at a temperature in the range of about 600-625 C.
(FR)Un dispositif de memoire remanente comprend un substrat semi-conducteur (16), une couche fine d'oxyde de memoire de 10-15 angstroms d'epaisseur (11), une couche de nitrure de silicium (12), une couche d'oxyde d'interface d'une epaisseur de 70-100 angstroms (13), et une electrode de porte de poly-silicium (14). La couche d'oxyde d'interface (13) est formee par depot de vapeur chimique a une temperature situee entre 600 et 625 C environ.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)