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1. (WO1981000489) TECHNOLOGIE DE COUCHES NOYEES DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1981/000489 N° de la demande internationale : PCT/US1980/000997
Date de publication : 19.02.1981 Date de dépôt international : 07.08.1980
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01) ,H01L 21/74 (2006.01) ,H01L 23/482 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 23/535 (2006.01) ,H01L 29/772 (2006.01) ,H01L 29/92 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
74
Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
535
comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
92
Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
6551410.08.1979US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR EMBEDDED LAYER TECHNOLOGY
(FR) TECHNOLOGIE DE COUCHES NOYEES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A permeable base transistor (30) including a metal base layer (34) embedded in a semiconductor crystal (32) to separate collector (38) and emitter (40) regions and form a Schottky barrier with each. The metal base layer has at least one opening (37) through which the crystal semiconductor (32) joins the collector (38) and emitter (40) regions. Ohmic contacts (42, 44) are made to the emitter (40) and collector (38) regions. The width of all openings (37) in the base layer (34) is of the order of the zero bias depletion width corresponding to the carrier concentration in the opening. The thickness of the metal layer (34) is in the order of 10% if this zero bias depletion width. As a result, a potential barrier in each opening limits current flow over the lower portion of the bias range. With increasing forward base bias the potential in the openings, which is lower than along the metal of the base layer (34), is lowered sufficiently to permit substantial increase in the barrier limited current flow from the collector (38) to emitter (40). A method of fabricating this transistor as well as methods for forming integrated circuit structures are also disclosed. Metal and other layers may be selectively embedded in semiconductor crystal. Embedded metal layers may serve as interconnections between devices. Devices may be in a stacked configuration.
(FR) Un transistor a base permeable (30) comprend une couche de base metallique (34) noyee dans un cristal semi-conducteur (32) pour separer des regions collectrice (38) et emettrice (40) et former une barriere de Schottky avec chacune d"elles. La couche de base metallique possede au moins une ouverture (37) au travers de laquelle le cristal semi-conducteur (32) joint les regions collectrice (38) et emettrice (40). Des contacts ohmiques (42, 44) sont realises sur les regions emettrice (40) et collectrice (38). La largeur de toutes les ouvertures (37) dans la couche de base (34) est de l"ordre de la largeur d"appauvrissement de polarisation (0) correspondant a la concentration porteuse dans l"ouverture. L"epaisseur de la couche metallique (34) est de l"ordre de 10% de cette largeur d"appauvrissement de polarisation (0). Il en resulte qu"une barriere potentielle dans chaque ouverture limite le passage de courant sur la partie inferieure de la gamme de polarisation. En augmentant la polarisation de base en sens direct, le potentiel dans les ouvertures qui est inferieur au potentiel le long du metal de la couche de base (34) est abaisse suffisamment pour permettre une augmentation sensible du passage de courant limite par la barriere du collecteur (38) vers l"emetteur (40). Procede de fabrication de ce transistor, et methodes de formation de structures de circuits integres. Du metal et d"autres couches peuvent etre noyees de maniere selective dans un cristal semi-conducteur. Des couches metalliques noyees peuvent servir d"interconnexions entre des dispositifs. Des dispositifs peuvent avoir une configuration empilee.
États désignés :
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0034166EP0196374