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1. (WO1981000488) PHOTODETECTEUR D"AVALANCHES A ETAGES MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1981/000488 N° de la demande internationale : PCT/US1980/000921
Date de publication : 19.02.1981 Date de dépôt international : 24.07.1980
CIB :
H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 31/109 (2006.01) ,H01L 31/111 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
109
la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
111
caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
6404006.08.1979US
Titre (EN) MULTISTAGE AVALANCHE PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR D"AVALANCHES A ETAGES MULTIPLES
Abrégé :
(EN) A low noise multistage photodetector device (1) is formed from a sequence of pairs of layers of opposite conductivity type (10, 11; 12, 13; 14, 15) having heterojunctions between each pair. The second layer (11, 13, 15) of each pair has a bandgap which is larger than the bandgap of the first layer (10, 12, 14) of said pair. Electrodes (21, 22, 23) are formed on the device so that voltages (30, 31, 32) may be applied to reverse bias the heterojunctions formed between each pair in the sequence and to forward bias the heterojunctions formed between the second layer (11, 13, 15) of one pair and the first layer (12, 14) of another pair. The device provides traps for one sign of carrier, which traps prevent the trapped carrier from avalanching through amplification regions of the device.
(FR) Un photodetecteur a etages multiples de faible bruit (1) est forme a partir d"une sequence de paires de couches de type de conductivites opposees (10, 11; 12, 13; 14, 15) ayant des heterojonctions entre chaque paire. La seconde couche (11, 13, 15) de chaque paire possede un espace de bande qui est plus grand que l"espace de bande de la premiere couche (10, 12, 14) desdites paires. Des electrodes (21, 22, 23) sont formees sur le dispositif photodetecteur de sorte que des tensions (30, 31, 32) puissent etre appliquees pour polariser en sens inverse les heterojonctions formees entre chaque paire dans la sequence et pour polariser en sens direct les heterojonctions formees entre la seconde couche (11, 13, 15) d"une paire et la premiere couche (12, 14) d"une autre paire. Le dispositif prevoit des pieges pour un signe de porteur, lesquels pieges empechent le porteur piege de tomber en avalanche au travers des regions d"amplification du dispositif.
États désignés :
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
AU1980062269