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1. (WO1981000487) PROCEDE DE RECUIT A L'HYDROGENE POUR UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DE PORTE AU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000487    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001020
Date de publication : 19.02.1981 Date de dépôt international : 07.08.1980
CIB :
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
65806 13.08.1979 US
Titre (EN) HYDROGEN ANNEALING PROCESS FOR SILICON GATE MEMORY DEVICE
(FR) PROCEDE DE RECUIT A L'HYDROGENE POUR UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DE PORTE AU SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)In a method for manufacturing a semiconductor non-volatile SNOS or SONOS memory device having a gate structure which includes a gate oxide layer (11) provided on a semiconductor substrate (16), a nitride layer (12) provided on the gate oxide layer (11) and a polysilicon gate electrode (14) overlying the nitride layer (12), the device is annealed in hydrogen, in an annealing vessel (40), typically for 15-60 minutes at 600-1100 C.
(FR)Dans un procede de fabrication d'un dispositif de memoire SNOF ou FONOS remanent semi-conducteur ayant une structure de porte qui comprend une couche d'oxyde de porte (11) disposee sur un substrat semi-conducteur (16), une couche de nitrure (12) formee sur la couche d'oxyde de porte (11) et une electrode de porte de polysilicium (14) recouvrant la couche de nitrure (12), le dispositif est recuit dans l'hydrogene, dans un recipient de recuit (40), d'une maniere caracteristique pendant 15-60 minutes a 600-1100 C.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)