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1. (WO1981000326) PROCEDE AU LASER DE SILICIUM SUR SAPHIR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1981/000326 N° de la demande internationale : PCT/US1980/000917
Date de publication : 05.02.1981 Date de dépôt international : 23.07.1980
CIB :
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
6008124.07.1979US
Titre (EN) SILICON ON SAPPHIRE LASER PROCESS
(FR) PROCEDE AU LASER DE SILICIUM SUR SAPHIR
Abrégé :
(EN) A beam of radiant energy (13) such as a laser beam is applied to an epitaxial silicon island on a silicon on sapphire device before formation of overlying layers of oxide and metal. The energy beam (13) changes the crystal structure of the epitaxial silicon island (2) to increase the mobility of carriers in the silicon island (2), improving the speed of transistors formed on the silicon island (2). The energy beam (13) also causes the material in the silicon island edge (2) to reflow, causing a reduction in the slope of the edge face of the silicon island edge (3), and a smoothing of the surface of the face, resulting in improved aluminum step coverage and elimination of a V-shaped groove in the first insulation layer (6) at the bottom corner edge (8) of the island (2), thereby increasing processing yield.
(FR) Un rayon d"energie de radiation (13) tel qu"un rayon laser est applique sur un ilot de silicium epitaxial sur un dispositif de silicium sur saphir avant la formation de couche de recouvrement d"oxyde et de metal. Le rayon d"energie (13) change la structure des cristaux de l"ilot de silicium epitaxial (2) pour ameliorer la mobilite des porteurs dans l"ilot de silicium (2), ameliorant la vitesse des transistors formee sur l"ilot de silicium (2). Le rayon d"energie (13) provoque egalement le reecoulement du materiau dans le bord de l"ilot de silicium (2), reduisant ainsi la pente de la face de la bordure (3) de l"ilot de silicium, et un adoucissement de la surface de la face, ce qui resulte en un meilleur recouvrement d"aluminium et une elimination de la rainure en forme de V dans la premiere couche isolante (6) au niveau du bord du coin inferieur (8) de l"ilot (2), ameliorant ainsi le rendement du procede.
États désignés :
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0032510EP0171509