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1. (WO1981000175) TEC VERTICAL DE PORTE FLOTTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000175    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000779
Date de publication : 22.01.1981 Date de dépôt international : 23.06.1980
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
54822 05.07.1979 US
Titre (EN) FLOATING GATE VERTICAL FET
(FR) TEC VERTICAL DE PORTE FLOTTANTE
Abrégé : front page image
(EN)A planar field effect transistor (FET) includes a plurality of spaced apart, floating Schottky barrier, epitaxial metal gate electrodes (14) which are embedded within a semiconductor body (12). A drain electrode (26) and a gate control electrode (28) are formed on one major surface of the body whereas a source electrode (34), typically grounded, is formed on an opposite major surface of the body. The FET channel extends vertically between the source and drain, and current flow therein is controlled by application of suitable gate voltage. Two modes of operation are possible: (1) the depletion regions of the control gates and the floating gates pinch off the channel so that with zero control gate voltage no current flows from source to drain; then, forward biasing the control gate opens the channel; and (2) the depletion regions of the control gates and the floating gates do not pinch off the channel, but reverse biasing the control gate produces pinch off. Specifically described is a GaAs FET in which the floating gate electrodes are Al epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy.
(FR)Un transistor a effet de champ planaire (TEC) comprend une pluralite d"electrodes de portes metalliques epitaxiales (14), espacees entre elles, de barriere Schottky flottantes (14) qui sont noyees dans un corps a semi-conducteur (12). Une electrode de drainage (26) et une electrode de commande de porte (28) sont formees sur une surface principale du corps tandis qu"une electrode de source (34), mise a la terre de maniere caracteristique, est formee sur une surface principale opposee du corps. Le canal du TEC s"etend verticalement entre la source et le drainage, et le debit de courant dans ce canal est commande par une tension de porte appropriee. Deux modes de fonctionnement sont possibles: 1) les regions d"appauvrissement des portes de commande et des portes flottantes resserrent le canal de sorte qu"avec une tension de porte de commande zero aucun courant ne s"ecoule de la source au drainage; ensuite, la polarisation progressive de la porte de commande ouvre le canal; et 2) les regions d"appauvrissement des portes de commande et des portes flottantes ne resserrent pas le canal, mais la polarisation inverse de la porte de commande produit le resserrement. TEC de G aAS dans lequel les electrodes de porte flottantes sont des couches epitaxiales (A1) developpees par epitaxie a rayon moleculaire.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)