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1. (WO1981000171) METHODE DE FORMATION DE CONDENSATEUR D"INVARIANT-TENSION POUR UN DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE MOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000171    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000803
Date de publication : 22.01.1981 Date de dépôt international : 23.06.1980
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
55170 06.07.1979 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING VOLTAGE-INVARIANT CAPACITORS FOR MOS TYPE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) METHODE DE FORMATION DE CONDENSATEUR D"INVARIANT-TENSION POUR UN DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE MOS
Abrégé : front page image
(EN)For an integrated circuit semiconductor device (10) having a multiplicity of MOSFET elements, (14-16-18) voltage-invariant capacitors, each with metal (38) as one plate and either polysilicon (22) or source-drain diffusion as the second plate, are created by regrowing a thin oxide layer (34) to provide the dielectric of the capacitor during the normal MOSFET processing sequence.
(FR)Pour un dispositif semi-conducteur a circuit integre (10) ayant une pluralite d"elements MOSFET, des condensateurs d"invariant-tension (14-16-18), ayant chacun un metal (38) comme premiere plaque et soit du polysilicium (22) soit une diffusion de drainage de source comme seconde plaque sont crees en reformant une fine couche d"oxyde (34) pour produire le dielectrique du condensateur pendant la sequence normale de traitement MOSFET.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)