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Paramétrages

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1. WO1981000027 - DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/1981/000027
Date de publication 08.01.1981
N° de la demande internationale PCT/JP1980/000143
Date du dépôt international 24.06.1980
CIB
G11C 29/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
CPC
G11C 29/844
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
78using programmable devices
84with improved access time or stability
844by splitting the decoders in stages
Déposants
Inventeurs
Données relatives à la priorité
79/7981925.06.1979JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A semiconductor memory device having a redundant memory array (11) provided for a main memory cell matrix (1, 2). A memory cell in the main memory cell matrix is selected by two decoders (6, 7) and a memory cell in the redundant memory array is selected by two decoders (12, 7). When the redundant memory array is selected by the decoder (12), a switching circuit (13) stops feeding clocks to the decoder (6).
(FR)
Un dispositif de memoire a semi-conducteurs ayant une memoire cellulaire redondante (11) prevue pour une matrice cellulaire a memoire principale (1, 2). Une cellule de memoire dans la matrice cellulaire a memoire principale et selectionnee par deux decodeurs (6, 7) et une cellule de memoire dans la memoire cellulaire redondante est selectionnee par deux decodeurs (12, 7). Lorsque la memoire cellulaire redondante est selectionnee par le decodeur (12), un circuit de commutation (13) arrete l"alimentation d"impulsion d"horloge au decodeur (6).
Également publié en tant que
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