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1. (WO1981000027) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/000027    N° de la demande internationale :    PCT/JP1980/000143
Date de publication : 08.01.1981 Date de dépôt international : 24.06.1980
CIB :
G11C 29/00 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79/79819 25.06.1979 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor memory device having a redundant memory array (11) provided for a main memory cell matrix (1, 2). A memory cell in the main memory cell matrix is selected by two decoders (6, 7) and a memory cell in the redundant memory array is selected by two decoders (12, 7). When the redundant memory array is selected by the decoder (12), a switching circuit (13) stops feeding clocks to the decoder (6).
(FR)Un dispositif de memoire a semi-conducteurs ayant une memoire cellulaire redondante (11) prevue pour une matrice cellulaire a memoire principale (1, 2). Une cellule de memoire dans la matrice cellulaire a memoire principale et selectionnee par deux decodeurs (6, 7) et une cellule de memoire dans la memoire cellulaire redondante est selectionnee par deux decodeurs (12, 7). Lorsque la memoire cellulaire redondante est selectionnee par le decodeur (12), un circuit de commutation (13) arrete l"alimentation d"impulsion d"horloge au decodeur (6).
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)