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1. (WO1980002891) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/002891    N° de la demande internationale :    PCT/JP1980/000131
Date de publication : 24.12.1980 Date de dépôt international : 14.06.1980
CIB :
H01L 21/26 (2006.01), H01L 23/057 (2006.01), H01L 23/556 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79/75289 15.06.1979 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device wherein a chip (1) having a semiconductor element (2) formed on the surface thereof is fixed in a concave portion formed on a base member (7) and is sealed with a cover (8) at a predetermined spacing. The chip (1) includes (a) an insulating layer (3) formed on the semiconductor element (2), which layer possesses heat-resistance and a corpuscular dose coefficient of less than 0.1 p/cm2.hr, and (b) a radiation-shielding metal layer (4) formed on the insulating layer (3). Thus, the semiconductor element (2) is shielded from the radiation emitted from packaging members such as the base member (7) and the cover (8). As a result, the semiconductor device does not experience erroneous operation or a deterioration in the characteristics thereof.
(FR)Dans un dispositif a semi-conducteur une micro-plaquette (1) ayant un element semi-conducteur (2) forme sur sa surface est fixee dans une portion concave formee sur un organe de base (7) et est scellee avec un couvercle (8) avec un espacement predetermine. La micro-plaquette (1) comprend (a) une couche isolante (3) formee sur l"element a semi-conducteur (2), laquelle couche possede un coefficient de resistance thermique et de dose corpusculaire inferieur a 0,1 p/cm2.hr, (b) une couche metallique de protection contre la radiation (4) formee sur la couche isolante (3). Ainsi, l"element a semi-conducteur (2) est protege des rayons emis a partir d"organes d"empaquetage tel que l"organe de base (7) et le couvercle (8). Comme resultat, on obtient un dispositif a semi-conducteur qui ne subit pas de deterioration ou de faussage de ses caracteristiques.
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)