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1. (WO1980001978) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS PAR ATTAQUE CHIMIQUE DIFFERENTIELLE AU PLASMA DES RESERVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1980/001978 N° de la demande internationale : PCT/US1980/000200
Date de publication : 18.09.1980 Date de dépôt international : 28.02.1980
CIB :
G03F 7/033 (2006.01) ,G03F 7/36 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
032
avec des liants
033
les liants étant des polymères obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p.ex. polymères vinyliques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
36
Dépouillement selon l'image non couvert par les groupes G03F7/30-G03F7/34108
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
1971112.03.1979US
Titre (EN) SOLID STATE DEVICES BY DIFFERENTIAL PLASMA ETCHING OF RESISTS
(FR) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS PAR ATTAQUE CHIMIQUE DIFFERENTIELLE AU PLASMA DES RESERVES
Abrégé :
(EN) Production of solid state devices by a process which includes at least one pattern delineation step involving dry etching of a negative resist deposited as a film on a substrate and obtained by mixing a host polymer with one or more monomers capable of being locked into place by electromagnetic radiation. The film is selectively irradiated, fixed, for example by heating or vacuum or both, to remove unlocked monomer or monomers from the film, and etched by means of an oxygen-containing plasma. The rate of removal is higher in the unirradiated region than in the irradiated region, yielding a negative resist pattern. A sensitizer may be added to allow use of various radiation wavelengths. Desirable properties of monomer and host polymer materials are discussed, and exemplary specific compositions given of aromatic monomers, silicon-containing monomers, and chlorinated polymers.
(FR) Production de dispositifs a semi-conducteurs par un procede qui comprend au moins le tracage d"une configuration par attaque a sec d"une reserve negative deposee sous forme d"une pellicule sur un substrat et obtenue en melangeant un polymere hote avec un ou plusieurs monomeres capables d"etre verrouilles sur place par radiation electromagnetique. La pellicule est selectivement irradiee, fixee, par exemple par chauffage ou vide, ou les deux, pour enlever le ou les monomeres deverrouilles du film, et attaquee au moyen d"un plasma contenant de l"oxygene. Le taux de degagement est superieur dans la region non-irradiee que dans la region irradiee, donnant ainsi la configuration d"une reserve negative. Un sensibilisateur peut etre ajoute pour permettre l"utilisation de plusieurs longueurs d"ondes de radiation. Des proprietes desirables de materiaux monomeres et polymeres hotes sont revelees, et on donne des compositions specifiques exemplaires de monomeres aromatiques, de monomeres contenant du silicone, et des polymeres chlorines.
États désignés :
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)