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1. (WO1980001966) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001966    N° de la demande internationale :    PCT/JP1980/000036
Date de publication : 18.09.1980 Date de dépôt international : 29.02.1980
CIB :
H01L 21/58 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/057 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H01L 23/66 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79/27303 09.03.1979 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In a structure wherein a semiconductor element (12) is brazed onto a metallized layer (13) formed on an insulator substrate with a brazing solder and electrodes of the semiconductor element (12) are connected to the metallized layer (13) through wire leads, the element-brazed portion (13-a) and the leadwire-connected portion (13-b) in the metallized layer (13) are isolated on a plane by an isolation region (41) and sealing member (20), within an opening made in the sealing member (20).
(FR)Dans une structure ou un element semi-conducteur (12) est brase sur une couche metallisee (13) formee sur un substrat isolant avec une soudure a braser et ou des electrodes de l"element semi-conducteur (12) sont connectees a la couche metallisee (13) par l"intermediaire de fils conducteurs, la partie de l"element brase (13-a) et la partie connectee par le fil conducteur (13-b) dans la couche metallisee (13) sont isolees sur un plan par une region isolante (41) et un organe d"etancheite (20), dans une ouverture amenagee dans l"organe d"etancheite (20).
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)