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1. (WO1980001965) SYSTEME RAM STATIQUE NON-REMANENT/REMANENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001965    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000251
Date de publication : 18.09.1980 Date de dépôt international : 10.03.1980
CIB :
G11C 14/00 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
20124 13.03.1979 US
Titre (EN) STATIC VOLATILE/NON-VOLATILE RAM SYSTEM
(FR) SYSTEME RAM STATIQUE NON-REMANENT/REMANENT
Abrégé : front page image
(EN)A volatile/non-volatile RAM cell employing a bistable multivibrator with non-volatile, alterable-threshold capacitors (307, 308) coupled to the output terminals (A, B) thereof to provide backup data storage in a power-down situation The non-volatile capacitors each have a non-alterable section (307A, 308A) and an alterable section (307B, 308B), the non-alterable section having either a depletion or an enhancement threshold. The RAM cell incorporates both polysilicon resistors (305, 306) and enhancement mode devices (309, 310) in the load circuits of each cell to produce boot-strapping of the voltage on one of the multivibrator terminals (A, B) during a volatile/non-volatile write operation. A non-inverted restore of digital information to the bistable multivibrator is accomplished by simultaneous application of a step voltage to the cell power line (123A) and a restore pulse to the gate (307C, 308C) of the non-volatile capacitors. An alternative inverted restore for a cell utilizing depletion thresholds in the non-alterable sections (307A, 308A) of the non-volatile capacitors, (307, 308) involves grounding the gate electrode (307C, 308C) of the non-volatile capacitors to restore the previously written information to the multivibrator. A data processing system employing the volatile/non-volatile RAM system with a single five volt power supply (40) and a write/restore/erase signal generator (50), all implemented in five volt, n-channel silicon-insulator-silicon (SIS) device technology, is shown.
(FR)Une cellule LAM non-remanente/remanente utilisant un multivibrateur bi-stable avec des condensateurs remanents, a seuil modifiable (307, 308) couples a ses bornes de sortie (A B) pour assurer un emmagasinage de reserve ou sauvegarde des donnees lors d"une coupure de d"alimentation. Les condensateurs remanents possedant chacun une section non-modifiable (307A, 308) et une section modifiable (307B, 308B), la section non-modifiable ayant soit un seuil d"appauvrissement soit un seuil d"enrichissement. La cellule RAM comprend a la fois des resistances en polysilicone (305, 306) et des dispositifs d"enrichissement (309, 310) dans les circuits de charge de chaque cellule pour produire un amorcage de la tension sur une des bornes (A B) du multivibrateur pendant une operation d"ecriture non-remanente/remanente. Une restitution non-inversee d"informations numeriques au multivibrateur bi-stable est effectuee par application simultanee d"une tension pas a pas sur la ligne de puissance de la cellule (123A) et une impulsion de restitution sur la porte (307C, 308C) des condensateurs remanents. Une restitution inversee alternative pour une cellule utilisant des seuils d"appauvrissement dans les sections non-modifiables (307A, 308A) des condensateurs remanents (307, 308) comprend la mise a la terre de l"electrode de porte (307C, 308C) des condensateurs remanents pour restituer l"information prealablement ecrite au multivibrateur. Un systeme de traitement des donnees utilisant le systeme RAM non-remanent/remanent avec une seule alimentation de puissance de 5 volts (40) et un generateur de signaux ecriture/restitution/effacement (50), fonctionnant sur 5 volts, avec la technologie des dispositifs a n-canaux silicium/isolateur/silicium (SIS), est illustre.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)