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1. (WO1980001733) STRUCTURE POUR MEMOIRE A ACCES SELECTIF DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001733    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000073
Date de publication : 21.08.1980 Date de dépôt international : 28.01.1980
CIB :
G11C 11/406 (2006.01), G11C 11/4063 (2006.01), G11C 11/408 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
10839 09.02.1979 US
Titre (EN) ORGANIZATION FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) STRUCTURE POUR MEMOIRE A ACCES SELECTIF DYNAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An MOS dynamic random access memory (RAM) includes an array of memory cells arranged in rows and columns. The array is divided into two or more sub-arrays (1001, 1002). In an operating cycle where a cell is being accessed for reading and/or writing, only the sub-array containing the accessed cell is fully selected while the other sub-arrays are partially selected. A fully selected sub-array is one in which both a row and a column are selected, whereas in a partially selected sub-array, only a row is selected. In the partially selected sub-array where only refreshing of the cells in the selected row takes place, the column (1003, 1004) decoders and drivers remain inactive throughout the memory cycle.
(FR)Une memoire a acces selectif dynamique MOS comprend un ensemble de cellules de memoire disposees en rangees et colonnes. L"ensemble est divise en deux ou plusieurs sous-ensembles (1001, 1002). Dans un cycle de fonctionnement pendant lequel on a acces a une cellule a des fins de lecture et/ou ecriture, seulement le sous-ensemble contenant la cellule d"acces est entierement selectionne tandis que les autres sous-ensembles sont partiellement selectionnes. Un sous-ensemble entierement selectionne est celui dans lequel a la fois une rangee et une colonne sont selectionnees, tandis que dans un sous-ensemble partiellement selectionne, seulement une rangee est selectionnee. Dans le sous-ensemble partiellement selectionne ou seulement la regeneration des cellules dans la rangee selectionnee a lieu, les decodeurs et entraineurs de colonnes (1003, 1004) restent inactifs pendant tout le cycle de memoire.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)