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1. (WO1980001730) AMPLIFICATEUR DE DETECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001730    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000075
Date de publication : 21.08.1980 Date de dépôt international : 28.01.1980
CIB :
G11C 11/4063 (2006.01), G11C 11/4091 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
10740 09.02.1979 US
Titre (EN) SENSE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE DETECTION
Abrégé : front page image
(EN)An improved field effect transistor sense amplifier uses a cross-coupled pair of first transistors (Q1, Q2) with separate third and fourth transistors (Q3, Q4) connected by the sources to each of one of cross-coupled terminals (12, 14) of the cross-couples pair (Q1, Q2). Read circuitry (Q7, Q8) is connected directly to the cross-coupled terminals (12, 14) of the cross-coupled pair. Write circuitry (Q9, Q10) is connected to the drains (18, 22) of the third and fourth transistors (Q3, Q4). The improved digital sense amplifier circuit reduces memory access and cycle times and reduces the magnitude of current spikes.
(FR)Un amplificateur de detection a transistors a effet de champ ameliore utilise une paire de premier transistors (Q1, Q2) couples en croix avec des troisieme et quatrieme transistors separes (Q3, Q4) connectes par les sources a chacune des bornes couplees en croix (12, 14) de la paire accouplee en croix (Q1, Q2). Un reseau de circuit de lecture (Q7, Q8) est connecte directement aux bornes accouplees en croix (12, 14) de la paire accouplee en croix. Un reseau de circuit d"ecriture (Q9, Q10) est connecte aux debits (18, 22) des troisieme et quatrieme transistors (Q3, Q4). Le circuit amplificateur de detection numerique ameliore reduit les temps de cycle et d"acces a la memoire et reduit la grandeur des pics de courant.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)