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1. WO1980001489 - PROCEDE ET APPAREIL DE DEPOT DE SEMI-CONDUCTEURS DANS UN CREUSET FROID

Numéro de publication WO/1980/001489
Date de publication 24.07.1980
N° de la demande internationale PCT/US1980/000046
Date du dépôt international 18.01.1980
CIB
C01B 33/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
C22B 41/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
BPRODUCTION OU AFFINAGE DES MÉTAUX; TRAITEMENT PRÉLIMINAIRE DES MATIÈRES PREMIÈRES
41Obtention du germanium
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 11/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
04en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
08tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
12Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide
C30B 23/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
H05B 6/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
6Chauffage par champs électriques, magnétiques ou électromagnétiques
02Chauffage par induction
22Fours sans noyau sans fin
24Fours à creuset
CPC
C01B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
C22B 41/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
BPRODUCTION AND REFINING OF METALS
41Obtaining germanium
C30B 11/001
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
001Continuous growth
C30B 11/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
08every component of the crystal composition being added during the crystallisation
12Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
C30B 23/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
C30B 23/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
002Controlling or regulating
Déposants
Inventeurs
Données relatives à la priorité
442118.01.1979US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COLD CRUCIBLE SEMICONDUCTOR DEPOSITION PROCESS AND APPARATUS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DEPOT DE SEMI-CONDUCTEURS DANS UN CREUSET FROID
Abrégé
(EN)
Method and apparatus for the production of high purity semiconductors, such as polycrystalline silicon. An initial charge of solid semiconductor (30) is inductively heated in a cold crucible (16) by application of high-frequency electromagnetic field produced by electric coil (26), such heat being sufficient to melt solid semiconductor (30) and to partially levitate the molten semiconductor (32) so that there is no contact between the molten semiconductor and the walls of the cold crucible. The base of the molten column (32) formed is supported on the unmelted semiconductor (30) so that the melt is not contaminated by contact with any foreign material. Vaporized semiconductor is then brought through conduit (22) into contact with the exposed surfaces of the molten, partially levitated semiconductor (32) in the cold crucible (16), and a portion of the vaporized semiconductor is absorbed into the molten semiconductor (32) thereby adding to its mass. Relative translational motion between the molten partially levitated semiconductor (32) and cold crucible (16) provides for the continuous withdrawal and solidification of semiconductor (32), preferably at a rate substantially equal to the rate at which vaporized semiconductor is added to the molten mass through conduit (22).
(FR)
Methode et appareil de production de semi-conducteurs de grande purete, tels que du silicium polycristallin. Une charge initiale de semi-conducteur solide (30) est chauffee par induction dans un creuset froid (16) par application d"un champ electromagnetique de haute frequence produit par une bobine electrique (26), cette chaleur etant suffisante pour fondre le semi-conducteur solide (30) et pour soulever partiellement par levitation le semi-conducteur fondu (32) de telle sorte qu"il n"y ait pas de contact entre le semi-conducteur en fusion et les parois du creuset froid. La base de la colonne en fusion (32) formee est supportee par le semi-conducteur non fondu (30) de sorte que le materiau en fusion n"est pas contamine par le contact avec toute substance etrangere. Le materiau semi-conducteur vaporise est ensuite amene par la conduite (22) en contact avec les surfaces exposees du semi-conducteur fondu souleve partiellement par levitation (32) dans le creuset froid (16), et une partie du semi-conducteur vaporise est absorbee dans le semi-conducteur en fusion (32) venant s"ajouter a sa masse. Un mouvement de translation relatif entre le semi-conducteur en fusion souleve partiellement par levitation (32) et le creuset froid (16) assure le retrait continu et la solidification du semi-conducteur (32), de preference a une vitesse sensiblement egale a la vitesse a laquelle le semi-conducteur vaporise est ajoute a la masse en fusion par l"intermediaire de la conduite (22).
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