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1. (WO1980001437) UNITE A SEMI-CONDUCTEUR DE HAUTE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001437    N° de la demande internationale :    PCT/JP1979/000323
Date de publication : 10.07.1980 Date de dépôt international : 22.12.1979
CIB :
H01L 23/047 (2006.01), H01L 23/057 (2006.01), H01L 23/66 (2006.01), H01L 25/16 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
78/164786 28.12.1978 JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY SEMICONDUCTOR UNIT
(FR) UNITE A SEMI-CONDUCTEUR DE HAUTE FREQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)A high frequency semiconductor unit includes a functional device capable of performing one independent function, which functional device consists of semiconductor elements, a direct-current circuit for driving the elements and a high frequency circuit for cascade connecting the elements with external circuits, a metal substrate (1), an insulating substrate (3) having a plurality of independent metalized-portions (5, 6, 7, 7") for enclosing the functional device, and a sealed portion for effecting a hermetic seal.
(FR)Une unite a semi-conducteur de haute frequence comprend un dispositif fonctionnel capable d"effectuer une fonction independante, ce dispositif fonctionnel comprenant des elements semi-conducteurs, un circuit a courant continu pour entrainer les elements et un circuit de haute frequence pour la connection en cascade des elements avec des circuits externes, un substrat metallique (1), un substrat isolant (3) ayant une pluralite de parties metallisees independantes (5, 6, 7, 7") pour enfermer le dispositif fonctionnel et une partie scellee pour obtenir un joint hermetique.
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)