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1. (WO1980001363) SYSTEMES LPCVD POSSEDANT UN NETTOYAGE AU PLASMA /IN SITU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001363    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/001127
Date de publication : 10.07.1980 Date de dépôt international : 27.12.1979
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
974415 29.12.1978 US
Titre (EN) LPCVD SYSTEMS HAVING IN SITU PLASMA CLEANING
(FR) SYSTEMES LPCVD POSSEDANT UN NETTOYAGE AU PLASMA /IN SITU
Abrégé : front page image
(EN)Process for cleaning wall deposits from a furnace tube (11) used in a low pressure chemical vapor film deposition system (10). The cleaning of the tube is carried out in situ in the furnace by creating a deposit etching plasma within the tube. The plasma is generated by introducing a suitable gas into the tube and applying RF energy to elements (32) located along selected portions of the tube for coupling the RF energy to the gas.
(FR)Procede de nettoyage de depots se forant sur les parois d"un tube de fourneau (11) utilise dans un systeme a depot de pellicules de vapeurs chimiques a basse pression (10). Le nettoyage du tuyau s"effectue in situ dans le four en creant un plasma d"attaque chimique du depot dans le tube. Le plasma est produit en introduisant un gaz approprie dans le tube et en appliquant une energie (RF) aux elements (32) situes le long de parties determinees du tube pour accoupler l"energie (RF) au gaz.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)