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1. (WO1980001335) TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES DE CIRCUITS INTEGRES ISOLES DIELECTRIQUEMENT POUR USAGE A HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001335    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/001042
Date de publication : 26.06.1980 Date de dépôt international : 06.12.1979
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/082 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
971632 20.12.1978 US
Titre (EN) DIELECTRICALLY-ISOLATED INTEGRATED CIRCUIT COMPLEMENTARY TRANSISTORS FOR HIGH VOLTAGE USE
(FR) TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES DE CIRCUITS INTEGRES ISOLES DIELECTRIQUEMENT POUR USAGE A HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)Integrated circuit complementary transistors for high voltage switching applications are fabricated in separate dielectrically-isolated pockets (12), (14), of high resistivity silicon, supported in a conductive medium (11) such as polycrystalline silicon, using surface adjacent conductivity type zones constituting emitter (19), (23), base (16), (20) and collector zones (17), (21). In one embodiment using high resistivity (75-300 ohm cm) silicon, referred to as n material, for the material of the pocket one transistor is a PN(Alpha)P device, and the other is an NP(Alpha)N. In the PN(Alpha)P the reverse-biased-collector pn junction is the interface between the N base zone (16) and the (Alpha) portion (12) of the collector zone. In the NP(Alpha)N transistor the base-collector junction is the interface between the lightly doped (Alpha) extension (14) of the base zone (20) and the N collector zone (21). A connection (32) is provided to the conductive substrate to enable application of a suitable potential thereto.
(FR)Des transistors complementaires de circuits integres pour des applications a branchement sur haute tension sont fabriques dans des poches separees isolees dielectriquement (12, 14) en silicium de haute resistivite, placees dans un support conducteur (11) tel que du silicium polycristallin, employant des zones de conductivite a surfaces adjacentes constituant un emetteur (19, 23), une base (16, 20) et des zones collectrices (17, 21). Dans un mode de realisation utilisant du silicium de haute resistivite (75-300 ohm cm), auquel on se refere par l"appellation materiau (Alpha), pour le materiau de la poche, un transistor est un dispositif PN(Alpha)P, et l"autre est un dispositif NP(Alpha)N. Dans PN(Alpha)P la jonction pn collectrice inverse est l"interface entre la zone de base N (16) et la portion P (12) de la zone collectrice. Dans le transistor NP(Alpha)N la jonction base-collecteur est l"interface entre l"extension P legerement dopee de la zone de base (20) et la zone collectrice N (21). Une connection (32) est prevue sur le substrat conducteur pour permettre l"application d"un potentiel approprie.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)