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1. (WO1980001333) PRODUCTION D"UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001333    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/001017
Date de publication : 26.06.1980 Date de dépôt international : 26.11.1979
CIB :
C30B 13/02 (2006.01), H01L 21/24 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
970031 15.12.1978 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION
(FR) PRODUCTION D"UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A thermal gradient zone melting technique is provided for eliminating distortion of the migrated metal pattern (24) by including a peripheral ring of the metal (22) adjacent the edge of the semiconductor wafer.
(FR)Une technique de fusion de zone de gradient thermique elimine la distorsion du motif metallique de migration (24) en incluant un anneau peripherique du metal (22) adjacent au bord de la tranche a semi-conducteur.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)