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1. (WO1980001021) CIRCUIT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001021    N° de la demande internationale :    PCT/JP1979/000274
Date de publication : 15.05.1980 Date de dépôt international : 29.10.1979
CIB :
G05F 3/20 (2006.01), G11C 11/4074 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
78/133384 30.10.1978 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor circuit including a dynamic circuit and a bias voltage generating circuit. The bias voltage generating circuit comprises first and second bias voltage generating circuits (30) and (30"). The former circuit (30) absorbs variable substrate current having a value which is in proportion to an operating frequency of the dynamic circuit while the latter circuit (30") absorbs the substrate current having values which are not in proportion to the operating frequency of the dynamic circuit.
(FR)Un circuit semi-conducteur comprend un circuit dynamique et un circuit de production d"une tension de polarisation. Le circuit de production d"une tension de polarisation comprend un premier et un second circuits de production de tension de polarisation (30 et 30"). Le premier circuit (30) absorbe le courant de substrat variable ayant une valeur proportionnelle a une frequence de fonctionnement du circuit dynamique tandis que le second circuit (30") absorbe le courant de substrat ayant des valeurs qui ne sont pas proportionnelles a la frequence de fonctionnement du circuit dynamique.
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)