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1. (WO1980001020) METHODE DE FORMATION DE MOTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001020    N° de la demande internationale :    PCT/JP1979/000280
Date de publication : 15.05.1980 Date de dépôt international : 01.11.1979
CIB :
G03F 7/004 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
78/137132 07.11.1978 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING PATTERNS
(FR) METHODE DE FORMATION DE MOTIFS
Abrégé : front page image
(EN)Method of forming patterns utilizing a photosensitive chalcogenide thin film comprising a lamination layer of amorphous chalcogenide thin film (2) and silver thin film (3). The amorphous chalcogenide thin film (22) of regions which are not exposed to light (6) or an accelerated particle beam and consequently are not doped with silver are removed by means of plasma etching with fluorine gas. According to this process, desired patterns of the amorphous chalcogenide thin film (21) doped with silver are left on a substrate. The remaining patterns are used as an etching mask to form the desired patterns on a substrate layer by a plasma etching method by removing a substrate layer (1C).
(FR)Une methode de formation de motifs utilise une pellicule fine de chalcogenure photo sensible comprenant une couche de laminage d"une pellicule fine de chalcogenure amorphe (2) et une pellicule fine d"argent (3). La pellicule fine de chalcogenure amorphe (22) des regions qui ne sont pas exposees a la lumiere (6) ou a un faisceau de particules accelerees et qui par consequent ne sont pas dopees avec de l"argent sont enlevees par attaque au plasma avec du fluor gazeux. Selon ce procede, les configurations desirees de la pellicule fine de chalcogenure amorphe (21) dopees avec de l"argent sont laissees sur un substrat. Les motifs restants sont utilises comme cache d"attaque pour former les motifs desires sur une couche de substrat par une methode d"attaque au plasma en enlevant une couche de substrat (1C).
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)