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1. (WO1980000897) METHODE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS D"AFFICHAGE UTILISANT DES DIODES A EMISSION LUMINEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1980/000897 N° de la demande internationale : PCT/JP1979/000175
Date de publication : 01.05.1980 Date de dépôt international : 02.07.1979
CIB :
G09F 9/33 (2006.01) ,H01L 27/15 (2006.01)
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
33
à semi-conducteurs, p.ex. à diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
78/13135924.10.1978JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES UTILIZING LIGHT-EMITTING DIODES
(FR) METHODE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS D"AFFICHAGE UTILISANT DES DIODES A EMISSION LUMINEUSE
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing a solid display device utilizing light-emitting diodes arranged in the form of a matrix, comprising the steps of: forming an electrode on the backside main surface of a light-emitting diode wafer (2) having a uniform P-N junction; slitting the backside main surface in length and breadth to form channels (4a) and (4b) extending to the P-N junction so that the P-N junction region is segregated into small sections; forming a back electrode on each such section; forming, on the front main surface of the wafer (2), front electrode (5) having openings (6) in the portion corresponding to the segregated P-N junction sections; mounting the wafer (2) of light-emitting diodes in layers on an insulated substrate (1) provided with parallel wired electrodes (11) arrayed in the form of stripes; and slitting the wafer from the front side of the main surface toward the backside channels (4b) in the direction perpendicular to the parallel wired electrodes (11) to separate the wafer of light-emitting diodes into a stripe-like configuration (8).
(FR) Une methode de fabrication d"un dispositif d"affichage utilisant des diodes a emission lumineuse disposees sous forme d"une matrice consiste a: former une electrode sur la surface arriere principale d"une tranche de diodes a emission lumineuse (2) ayant une jonction P-N uniforme; a fendre le dos ou partie arriere de la surface principale en longueur et en largeur pour former des canaux (4a) et (4b) s"etendant jusqu"a la jonction P-N de maniere telle que la region de la jonction P-N soit divisee en petites sections; a former une electrode arriere sur chacune de ces sections; a former sur la partie avant de la surface principale de la tranche (2), une electrode avant (5) ayant des ouvertures (6) dans la portion correspondant aux sections de la jonction (P-N); a monter la tranche (2) de diodes a emission lumineuse en couches sur un substrat isole (1) pourvu d"electrodes connectees en parallele (11) disposees en forme de bandes; et a fendre la tranche du cote avant de la surface principale vers les canaux du cote arriere (4b) dans le sens perpendiculaire aux electrodes connectees en parallele (11) pour separer la tranche de diodes a emission lumineuse en une configuration en bandes (8).
États désignés :
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)