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1. (WO1980000765) PHOTODETECTEUR A AVALANCHE A MULTI ETAGE DE FAIBLE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1980/000765 N° de la demande internationale : PCT/US1979/000749
Date de publication : 17.04.1980 Date de dépôt international : 21.09.1979
CIB :
H01L 29/205 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 31/111 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
201
comprenant plusieurs composés
205
dans différentes régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
111
caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
94905706.10.1978US
Titre (EN) LOW NOISE MULTISTAGE AVALANCHE PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR A AVALANCHE A MULTI ETAGE DE FAIBLE BRUIT
Abrégé :
(EN) Devices constructed according to the present invention provide low noise avalanche photodetectors. The devices are comprised of a sequence of at least four layers (10, 11, 12, 13) of semiconductor material of alternating opposed conductivity. In a first embodiment, the layers form alternating homojunctions and heterojunctions at the interface between adjacent layers, and the bandgap of the layers on either side of the homojunctions decreases in the direction of the propagating signal. In other embodiment, the layers form heterojunctions at the interfaces between adjacent layers; the layers are grouped into a sequence of pairs of layers where the bandgap of the two layers in each pair are substantially equal; and the bandgap of the layers in the sequence of pairs of layers decreases in the direction of the propagating signal. The effect of the structure of the multilayer device is to create traps for one sign of carrier and to prevent the trapped carrier from avalanching through amplification regions of the device.
(FR) Dispositif photodetecteur a avalanche de faible bruit. Les dispositifs comprennent une serie d"au moins quatre couches (10, 11, 12, 13) d"un materiau semi-conducteur de conductivites alternativement opposees. Dans un premier mode de realisation, les couches forment des homojonctions et des heterojonctions alternees au niveau de l"interface entre les couches adjacentes, et l"espace des bandes des couches de chaque cote des homojonctions decroit en direction du signal de propagation. Dans un autre mode de realisation, les couches forment des heterojonctions aux interfaces entre les couches adjacentes; les couches sont groupees en une serie de paires de couches ou les espaces de bande des deux couches dans chaque paire sont sensiblement egaux; et l"espace des bandes des couches dans la serie de paires de couches decroit dans la direction du signal de propagation. L"effet de la structure du dispositif multicouche est de creer des pieges pour un transporteur et d"empecher le transporteur emprisonne d"etre soumis a une avalanche au travers des regions d"amplification du dispositif.
États désignés :
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)