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1. (WO1980000763) GEOMETRIES DE CONDENSATEURS A HAUT DEGRE DE PRECISION POUR CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000763    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000704
Date de publication : 17.04.1980 Date de dépôt international : 07.09.1979
CIB :
H01G 4/30 (2006.01), H01G 4/38 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
947020 29.09.1978 US
Titre (EN) HIGH-RATIO-ACCURACY CAPACITOR GEOMETRIES FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) GEOMETRIES DE CONDENSATEURS A HAUT DEGRE DE PRECISION POUR CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A number of known circuit configurations require high-ratio-accuracy capacitors. Maintaining such ratios during the various processing steps involved in fabricating the configurations in integrated-circuit form has been found to be difficult. In accordance with this invention, ratio capacitors (Figs. 1 and 2) are made in integrated-circuit form utilizing a unique geometry. In one specific embodiment, a so-called H-section geometry (10 and 30) that is largely insensitive to processing variations is utilized to form the capacitors. In this way, high-yield low-parasitic precisely matched pairs of ratio capacitors are achieved.
(FR)De nombreuses configurations de circuits connus necessitent des condensateurs d"un haut degre de precision. Le maintien de ces degres gres pendant les diverses etapes de traitement que comporte la fabrication des configurations sous forme de circuits integres s"est revele difficile. Les condensateurs de la presente invention sont fabriques sous forme de circuits integres utilisant une geometrie unique. Dans un mode de realisation specifique, une geometrie dite a section en H qui est largement insensible aux variations de traitement est utilisee pour former les condensateurs. De cette maniere, on obtient des condensateurs de rapport appareilles par paire de maniere precise, de haut rendement et de faible parasite.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)