WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Parcourir
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1980000641) MEMOIRE A ACCES SELECTIF DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000641    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000703
Date de publication : 03.04.1980 Date de dépôt international : 07.09.1979
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 23/535 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
942861 15.09.1978 US
Titre (EN) DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) MEMOIRE A ACCES SELECTIF DYNAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)In a self-aligned, polycrystalline silicon gate MOSFET dynamic Random Access Memory formed in a semiconductor body with metal word lines and bit lines diffused into the semiconductor body, the capacitance of the diffused bit lines is undesirably high. This capacitance is reduced according to the present invention by forming the bit lines (50) from the same layer of polycrystalline silicon as the MOSFET gates (45A, 45B), the polycrystalline silicon bit lines (50) only contacting the semiconductor body (30) at the sources (41) of the MOSFETs (41, 42B, 43B).
(FR)Dans une memoire a acces selectif dynamique de portes MOSFET en silicium polycristallin, a auto alignement, formees dans un corps semi-conducteur avec des lignes de mots et des lignes de bit metalliques diffusees dans le corps semi-conducteur, la resistance de capacite ou capacitance des lignes de bit diffusees est indesirablement elevee. Cette capacitance est reduite en formant les lignes de bit (50) a partir de la meme couche de silicium polycristallin que pou les portes MOSFET (45A, 45B), les lignes de bit en silicium polycristallin (50) etant seulement en contact avec le corps semi-conducteur (30) aux sources (41) des MOSFETs (41, 42, 43b).
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)