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1. (WO1980000634) STRUCTURE DE MASQUAGE POUR LES RADIATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1980/000634 N° de la demande internationale : PCT/US1979/000692
Date de publication : 03.04.1980 Date de dépôt international : 06.09.1979
CIB :
G03F 1/22 (2012.01) ,G21K 5/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/30 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
22
Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p.ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet [EUV]; Leur préparation
G PHYSIQUE
21
PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
K
TECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
5
Dispositifs d'irradiation
02
n'ayant aucun moyen pour former le faisceau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
94177613.09.1978US
Titre (EN) RADIATION MASK STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MASQUAGE POUR LES RADIATIONS
Abrégé :
(EN) The discovery that boron nitride and boron carbide films can be made in tension allows nondistorting radiation windows or masks to be realized. Both low and high pressure techniques for making the tensile films (13) lead to related mask structures (10) utilizing such films. The resulting structures are sufficiently distortion free to be useful for x-ray lithography.
(FR) La decouverte que des films en nitrure ou carbure de bore peuvent etre obtenus sous tension permet la realisation de fenetres ou de masques sans distorsion des radiations. Des techniques a la fois a basse et a haute pression pour la preparation de ces films ductiles (13) aboutissent a des structures de masques equivalentes (10) utilisant de tels films. Les structures resultantes sont suffisamment exemptes de distorsion pour etre utiles dans la lithographie aux rayons-X.
États désignés :
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)