WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1980000521) OXYDATION THERMIQUE SE TERMINANT D"ELLE MEME DE COUCHES DE COMPOSES DU GROUPE III-V CONTENANT DE L"ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000521    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000631
Date de publication : 20.03.1980 Date de dépôt international : 21.08.1979
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
937318 28.08.1978 US
Titre (EN) SELF-TERMINATING THERMAL OXIDATION OF AL-CONTAINING GROUP III-V COMPOUND LAYERS
(FR) OXYDATION THERMIQUE SE TERMINANT D"ELLE MEME DE COUCHES DE COMPOSES DU GROUPE III-V CONTENANT DE L"ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)An oxide layer (16") is formed on a GaAs body (14) by epitaxially growing a layer (12) of AlxGalxAs layer on a major surface (18) of the body and then thermally oxidizing the AlxGal-xAs layer for a time period effective to convert it to an oxide. The oxidizing process is essentially self-terminating at the major surface (18). The application of this process to the fabrication of MOS capacitors and IGFETS is described.
(FR)Une couche d"oxyde (16") est formee sur un corps en Ga As (14) en faisant croitre epitaxialement une couche (12) de Alx Gal-xAs sur une surface majeure (18) du corps puis l"on oxyde thermiquement la couche de AlxGal-xAs pendant un laps de temps suffisant pour la transformer en oxyde. Le processus d"oxydation se termine essentiellement tout seul sur la surface majeure (18). L"application de ce procede pour la fabrication de condensateurs MOS (semi-conducteurs a oxydes metalliques) et de IGFETS (transistors a effet de champ a porte isolee) est decrite.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)