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1. (WO1980000510) PROCEDE POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000510    N° de la demande internationale :    PCT/DE1979/000097
Date de publication : 20.03.1980 Date de dépôt international : 29.08.1979
CIB :
C23C 14/58 (2006.01), C30B 1/02 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C23C 14/16 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
2837750 30.08.1978 DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)To provide onto a substrate of a semi-conductor device a poly or monocrystalline layer of semiconductor material (27) (a polycrystalline layer in the case of solar cells for example), the material is deposited in an amorphous form onto the substrate, vaporised for example, and by means of a thermal treatment by optical radiation (4) applied onto the material, transformed into a poly or monocrystalline layer.
(FR)Pour realiser sur un substrat d"un dispositif a semi-conducteur une couche de materiau semi-conducteur (27) poly-ou monocristalline (une couche polycristalline dans le cas par exemple d"une cellule solaire), le materiau est depose sous forme amorphe sur le substrat par exemple vaporise, puis au moyen d"un traitement thermique par un rayonnement optique (4) applique sur le materiau, transforme en une couche poly- ou monocristalline.
États désignés :
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)