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1. (WO1980000509) TECHNIQUES DE CONTROLE POUR LE RECUIT DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000509    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000834
Date de publication : 20.03.1980 Date de dépôt international : 14.08.1979
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
935665 21.08.1978 US
Titre (EN) CONTROL TECHNIQUES FOR ANNEALING SEMICONDUCTORS
(FR) TECHNIQUES DE CONTROLE POUR LE RECUIT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)For improving the control over a process for annealing surface layers (14) of semiconductor bodies (10) by melting the surface layer by a beam of radiant energy (21), the reflectivity of the surface of the layer is monitored (20, 22) to detect when the surface layer changes its state between molten and solid states, and the amount of radiant energy directed to the surface is controlled (24) in response to such change.
(FR)Pour ameliorer le controle d"un procede de recuit de couches superficielles (14) de corps semi-conducteurs (10) par fusion de la couche superficielle au moyen d"un faisceau d"energie radiante (21), la reflectance de la surface de la couche est controlee (20, 22) afin de deceler le moment ou la couche superficielle change d"etat entre l"etat fondu et l"etat solide, et la quantite d"energie radiante dirigee sur la surface est controlee (24) en reponse a un tel changement.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)