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1. (WO1980000496) MESURE, SANS CONTACT, DE L"EFFET HALL DANS UNE TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000496    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000607
Date de publication : 20.03.1980 Date de dépôt international : 14.08.1979
CIB :
G01R 33/12 (2006.01), G01R 31/265 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
935518 21.08.1978 US
Titre (EN) NONCONTACTING MEASUREMENT OF HALL EFFECT IN A WAFER
(FR) MESURE, SANS CONTACT, DE L"EFFET HALL DANS UNE TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)The magnitude and sign of the Hall angle of the material of a semiconductor wafer (13) are measured by a combined capacitive and inductive coupling technique which does not require physically contacting the wafer (13), thus avoiding possible physical damage to the wafer. An rf signal is applied to a pair of concentric circular planar electrodes (11, 12) adjacent to the wafer (13), thus capacitively coupling a radial rf current into the wafer. A magnetic field applied (magnet 14) perpendicular to the wafer produces a circular component of rf current because of the Hall effect. This circular rf current produces an axial rf magnetic field which couples to a pickup coil (15). The pickup signal is amplified (4g) and detected (49) to produce an output signal related to the sign and magnitude of the Hall angle of the wafer material.
(FR)La grandeur et le signe de l"angle de Hall du materiau d"une tranche semi-conductrice (13) sont mesures par une technique de couplage capacitatif et inductif qui ne necessite pas le contact physique avec la tranche (13), eliminant ainsi toute deterioration physique eventuelle de la tranche. Un signal haute frequence (rf) est appliquee a une paire concentrique d"electrodes planes circulaires (11, 12) adjacentes a la tranche (13), couplant ainsi de maniere capacitative un courant rf radial dans la tranche. Un champ magnetique applique (aimant 14) perpendiculairement a la tranche produit une composante du courant rf a cause de l"effet Hall. Ce courant circulaire rf produit un champ magnetique rf axial qui se couple avec une bobine de reception (15). Le signal de reception est amplifie (48) et detecte (49) pour produire un signal de sortie en relation avec le signe et la grandeur de l"angle de Hall du materiau de la tranche.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)