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1. (WO1980000126) COUCHE DE SILICIUM CRISTALLIN AYANT UNE ORIENTATION (111) SUR PLAN (111) DE LITHIUM ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000126    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000440
Date de publication : 07.02.1980 Date de dépôt international : 21.06.1979
CIB :
C30B 23/02 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
920093 28.06.1978 US
Titre (EN) LAYER OF CRYSTALLINE SILICON HAVING(111)ORIEN TATION ON(111)SURFACE OF LITHIUM ALUMINUM
(FR) COUCHE DE SILICIUM CRISTALLIN AYANT UNE ORIENTATION (111) SUR PLAN (111) DE LITHIUM ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)The formation of thin layers of crystalline silicon by heteroepitaxial growth on sodium thallium type substrates is known. The optimum system and orientation for producing such crystal growth has not previously been known. It is herein disclosed that the optimum system constitutes low strain heteroepitaxy of (111) silicon on (111) lithium aluminum between the reconstructed 7x7 surface of (111) silicon and a 6x6 array of aluminum atoms on the surface of the (111) lithium aluminum. The 7x7 reconstructed (111) silicon surface contains 36 silicon atoms and 13 vacancies for every 49 surface sites. The 36 silicon atoms on an area averaged basis match the 36 aluminum atoms in the 6x6 aluminum diamond structure (zero vacancies) present at the (111) surface of lithium aluminum to within about 1%. The composition as set out above is useful in solar cells for directly converting solar energy to electricity.
(FR)On connait la formation de couches minces de silicium cristallin par croissance hetero-epitaxiale sur des substrats de sodium thallium. Le systeme et l"orientation optimum pour produire une telle croissance de cristaux n"ont pas ete decouverts anterieurement. Ce systeme optimum comprend l"heteroepitaxie a faible deformation du silicium (111) sur le lithium aluminium (111) entre le plan reconstruit 7x7 du silicium (111) et une rangee 6x6 d"atomes d"aluminium sur le plan du lithium aluminium (111). Le plan de uilicium (111) 6x6 contient 36 atomes de silicium et 13 places vacantes pour chaque groupe de 49 emplacements en surface. Les 36 atomes de silicium sur une zone de base moyenne s"apparient avec les 36 atomes d"aluminium dans la structure en diamants de l"aluminium de 6x6 (zero place vacante) presents sur le plan de lithium aluminium (111) a environ 1%. La composition telle que decrite ci-dessus est utile dans les cellules solaires pour convertir directement l"energie solaire en electricite.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)