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1. (WO1980000113) MEMOIRE A BULLES MAGNETIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/000113    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000386
Date de publication : 24.01.1980 Date de dépôt international : 05.06.1979
CIB :
G11C 19/08 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
914959 12.06.1978 US
Titre (EN) MAGNETIC BUBBLE MEMORY
(FR) MEMOIRE A BULLES MAGNETIQUES
Abrégé : front page image
(EN)In a bubble memory of the type employing electrical current pulses to sequentially advance magnetic bubbles along preselected paths within a magnetic bubble layer, high speed operation is achieved through the use of two generally co-extensive conductive layers (25, 26) overlying the magnetic bubble layer, the two conductive layers being spaced apart by an insulating film (27). Each layer includes a pattern of apertures (30, 31 FIG. 3) therethrough, corresponding apertures in the two layers being slightly off-set from one another. Various sequences of current pulses (e.g. I1, I2, I3, I4 - FIG. 5) are applied to the conductive layers for advancing the bubbles along propagation paths defined by the aperture patterns.
(FR)Dans une memoire a bulles du type utilisant des impulsions de courant electrique pour faire avancer sequentiellement des bulles magnetiques le long de chemins preselectionnes dans une couche a bulles magnetiques, un fonctionnement a haute vitesse est obtenu par utilisation de deux couches conductrices co-etendus (25, 26) recouvrant la couche a bulles magnetiques, les deux couches conductrices etant espacees l"une de l"autre par un filtre isolant (27). Chaque couche comprend une configuration d"ouverture (30, 31, FIG. 3), les ouvertures correspondantes dans les deux couches etant legerement decalees les unes par rapport aux autres. Des sequences divers d"impulsions de courant (par exemple, I1, I2, I3, I4 - FIG. 5) sont appliquees aux couches conductrices pour faire avancer les bulles le long des chemins de propagation definis par les configurations d"ouverture.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)