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1. (WO1979000914) DISPOSITIF DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1979/000914    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000178
Date de publication : 15.11.1979 Date de dépôt international : 19.03.1979
CIB :
G06F 13/42 (2006.01), G11C 19/28 (2006.01), G11C 5/00 (2006.01), G11C 5/06 (2006.01), H03K 17/30 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
895328 11.04.1978 US
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory device (10) includes a circuit for reducing the number of pins or external terminals on the memory device (10). A threshold detector (49) within the circuit detects the difference in voltage between signals applied at two external pins (C0, F0). A clocking signal at one pin (C0) provides, in addition to a synchronizing function, a memory device select function, and a signal at the other pin (F0) provides memory mode select as well as memory address, data input and data output functions. Switching transistors (24, 28) controlled by the output of the threshold detector (40) connect the external pins (C0, F0) to the power and ground terminals of an internal power supply (16) so that the signals at the two external pins (C0, F0) also provide the power and ground signals to the memory device (10).
(FR)Une dispositif de memoire (10) comprend un circuit pour reduire le nombre de broches ou bornes externes sur le dispositif de memoire (10). Un detecteur de seuil (40) inclus dans le circuit detecte la difference de tension entre les signaux appliques a deux broches externes (C0, F0). Un signal d"horloge en une broche (C0) exerce, en plus d"une fonction de synchronisation, une fonction de selection du dispositif de memoire, et un signal a l"autre broche (F0) exerce des fonctions de selection du mode de la memoire et adresse de memoire, ainsi que la sortie et l"entree des donnees. Des transistors de commutation (24, 28) commandes par la sortie du detecteur de seuil (40) connectent les broches externes (C0, F0) aux bornes de puissance et de terre d"une alimentation de puissance interne (16) de sorte que les signaux aux broches externes (C0, F0) produisent aussi les signaux de puissance et de terre au dispositif de memoire (10).
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)