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1. (WO1979000510) TECHNIQUE D"IMMOBILISATION PAR PRESSION DE SUBSTRATS LORS DE LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1979/000510    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/000007
Date de publication : 09.08.1979 Date de dépôt international : 05.01.1979
CIB :
H01L 21/673 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
869523 16.01.1978 US
Titre (EN) SUBSTRATE CLAMPING TECHNIQUES IN IC FABRICATION PROCESSES
(FR) TECHNIQUE D"IMMOBILISATION PAR PRESSION DE SUBSTRATS LORS DE LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)Electrostatic clamping techniques for use in clamping substrates in various semiconductor fabrication processes are disclosed. One embodiment takes the form of a substrate support plate (5) which has deposited on its working face two layers (12A, 12B) of thermally conductive, electrically insulative RTV silicone, between which layers is located an interdigital type printed circuit capacitor (7) energized by a DC source (V) in the kilovolt range. Secured to the back surface of the support plate (5) is a water-cooled jacket (6) with the entire assembly adapted for location in the incident ion beam (2) and having good thermal dissipation properties. An alternate implementation utilizes an alumina support plate on which the capacitor of aluminum composition is deposited by vacuum evaporation, and the exposed capacitor surface is rendered insulative by oxidation. A second embodiment employs a substrate hold down plate (15) which has on its working face an interdigital type printed circuit capacitor (18A, 19A) covered by an outer layer (21) of electrically insulative, compressible, resilient, RTV silicone. The capacitor (18A, 19A) is an electrostatic field generator energized by a DC source in the kilovolt range. In a typical application, there is secured to the back surface of the hold down plate (15) a water-cooled jacket with the entire assembly adapted for location in the incident ion beam and having good thermal dissipation properties. The substrates to be clamped are supported in a plate-like carrier (30) having flanged apertures (31) for laterally confining the substrates. The carrier is secured to the hold down plate (15), thereby bringing the substrates into proximity with the electrostatic field generating capacitor (18A, 19A), and also masking those areas of the hold down plate not covered by the substrates. When the capacitor (18A, 19A) is energized, the substrates are attracted towards it. The outer silicone layer (21), being compressible, provides improved proximity of the clamped substrate to the hold down plate (15). For facilitating release, the carrier incorporates a manifold (35) designed to supply gas under pressure to the substrates to free them from the hold down.
(FR)Techniques d"immobilisation electrostatiques pour immobiliser par pression des substrats lors de la fabrication de circuits imprimes. Une realisation est concretisee par une plaque support (5) de substrat portant sur sa face de travail deux couches (12 A, 12 B) de silicone "RTV" thermiquement conductrices et electriquement isolantes. Entre ces couches se trouve un condensateur en forme de circuit imprime a electrodes a configuration interdigitale alimente par une source (V) a courant continu fonctionnant dans la gamme des kilovolts. Une chemise a refroidissement par eau (6) est fixee a la face arriere de la plaque support. L"ensemble est agence pour se trouver dans un faisceau ionique incident (2) et pour avoir une bonne dissipation thermique. En variante, on utilise une plaque support en alumine sur laquelle le condensateur en aluminium est constitue par evaporation sous vide et la surface exposee du condensateur est rendue isolante par oxydation. Dans une deuxieme realisation on emploie une plaque d"immobilisation (15) qui comprend sur sa face de travail un condensateur constitue d"un circuit imprime a electrodes a configuration interdigitale (18 A, 19 A). Celui-ci est couvert par une couche exterieure (21) de silicone "RTV" electriquement isolante compressible et resiliente. Le condensateur (18 A, 19 A) alimente par une source de courant continu fonctionnant dans la gamme des kilovolts produit un champ electrostatique. Dans une application typique une chemise a refroidissement a eau est fixee a la face arriere de la plaque (15). L"ensemble est dispose dans un faisceau ionique incident et a une bonne dissipation thermique. Les substrats a immobiliser sont portes par un support en forme de plaque ayant des ouvertures a rebords pour confiner lateralement les substrats. Le support est fixe a la plaque d"immobilisation (15) amenant les substrats au voisinage du condensateur (18 A, 19 A) produisant le champ electrostatique tout en masquant les zones de la plaque non couvertes par les substrats. Lorsque le condensateur est alimente les substrats subissent une attraction vers celui-ci. La couche de silicone exterieure (21) etant compressible le substrat se rapproche de la plaque (15). Le support comprend une admission (35) pour amener du gaz sous pression aux substrats afin de les liberer.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)