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1. (WO1979000461) CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS MIS COMPLEMENTAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1979/000461 N° de la demande internationale : PCT/JP1978/000048
Date de publication : 26.07.1979 Date de dépôt international : 11.12.1978
CIB :
G11C 11/412 (2006.01) ,G11C 11/417 (2006.01) ,G11C 11/418 (2006.01) ,G11C 5/06 (2006.01) ,H01L 27/118 (2006.01) ,H03K 3/356 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
412
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
417
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
417
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
418
Circuits d'adressage
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
5
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
06
Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
118
Circuits intégrés à tranche maîtresse
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
3
Circuits pour produire des impulsions électriques; Circuits monostables, bistables ou multistables
02
Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions
353
par l'utilisation, comme éléments actifs, de transistors à effet de champ avec réaction positive interne ou externe
356
Circuits bistables
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
77/15844530.12.1977JP
Titre (EN) COMPLEMENTARY MIS-SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS MIS COMPLEMENTAIRES
Abrégé :
(EN) A semiconductor device having a plurality of unit cells, wherein the unit cells arranged along the row direction of a semiconductor substrate define unit cell arrays which are arranged along a columnar direction of the semiconductor substrate, and include depletion regions formed between adjacent primitive cell arrays. The unit cells are each composed of first and second P-channel MIS-transistors and first and second N-channel MIS-transistors. The first P-channel MIS-transistor and first N-channel MIS-transistor each have a gate defining a first single common gate, and the second P-channel MIS-transistor and second N-channel MIS-transistor each have a gate defining a second single common gate. The sources or drains of the first and second P-channel MIS-transistors each form a first single common source or drain and, on the other hand, the sources or drains of the first and second N-channel MIS-transistors each form a second single common source or drain. The first and second single common gates are each provided at both terminals of the unit cell arrays with terminal electrodes and are further provided at the center of the unit cell arrays with central terminal electrodes. The unit cells include small depletion regions extending along both sides of the unit cell arrays. These small depletion regions may be used as regions for wiring along the columnar direction of the small depletion regions.
(FR) Dispositif a semi-conducteur comprenant une pluralite de cellules unitaires, dans lequel les cellules unitaires disposees dans le sens des rangees d"un substrat semi-conducteur definissant des rangees de cellules unitaires disposees dans le sens des colonnes d"un substrat semi-conducteur ainsi que des zones de rarefaction entre les rangees de cellules primitives. Chaque cellule unitaire est composee d"un premier et d"un second transistor MIS a canal P et d"un premier et d"un second transistor MIS a canal N. Le premier transistor MIS a canal P et le premier transistor MIS a canal N ont chacun une porte definissant une premiere porte commune unique, et le second transistor MIS a canal P ainsi que le second transistor MIS a canal N ont chacun une porte definissant une seconde porte commune unique. Les emetteurs des premier et second transistors MIS a canal p forment un premier emetteur commun et, d"autre part, les emetteurs des premier et second transistors MIS a canal N forment un second emetteur commun. Chacune des premiere et seconde portes communes est pourvue aux deux terminaux des rangees de cellules unitaires d"electrodes de borne et sont egalement munies, au centre des rangees de cellules unitaires d"electrodes centrales de borne. Les cellules unitaires comportent des petites zones de rarefaction qui s"etendent sur les deux cotes des rangees de cellules. Les zones de rarefaction peuvent etre utilisees comme zones pour le cablage dans le sens des colonnes de petites zones de rarefaction.
États désignés :
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US4412237