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1. (WO1979000445) LASER A STRUCTURE HETEROGENE A RAIE INTERNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1979/000445    N° de la demande internationale :    PCT/US1978/000182
Date de publication : 26.07.1979 Date de dépôt international : 04.12.1978
CIB :
H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/187 (2006.01), H01S 5/227 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
865237 28.12.1977 US
Titre (EN) STRIP BURIED HETEROSTRUCTURE LASER
(FR) LASER A STRUCTURE HETEROGENE A RAIE INTERNE
Abrégé : front page image
(EN)A strip buried double heterostructure laser (10) having a pair of opposite-conductivity type, wide bandgap cladding layers (12, 14) separated by a narrower bandgap active region (16). The active region (16) includes a low-loss waveguide layer (16.1) and contiguous therewith a narrower bandgap active layer (16.2) in the form of a narrow strip extending along the longitudinal (resonator) laser axis (28). Lateral current confinement means (18), such as reversed biased p-n junctions (18.1, 18.2), constrain pumping current in a narrow channel through the active layer (16.2). Lasers of this type exhibit relatively high pulsed power outputs (e.g., 400 mW), linear L-I characteristics, stable fundamental transverse mode and single longitudinal mode oscillation. In another embodiment (Fig. 3) waveguide layer surfaces (16.3) adjacent the active layer (16.2) have distributed feedback gratings (30). Also described are techniques for shaping the active layer without introducing debilitating defects therein, as well as procedures for LPE growth on A1-containing Group III-V compound layers which are exposed to processing in the ambient.
(FR)Un laser (10) a double structure heterogene a raie interne possedant deux couches de recouvrement (12, 14) de type de conduction opposee a large saut de bande separees d"une region (16) active a saut de bande plus etroit. La region active (16) comprend une couche (16.1) guide d"onde a faible perte et contigue a celle-ci une couche (16.2) active a saut de bande plus etroit dans la forme d"une raie etroite s"etendant le long de l"axe (28) longitudinal (resonateur) du laser. Des moyens de confinement du courant lateral, tels que des jonctions p-n a polarisation inverse (18.1, 18.2), maintiennent le courant de pompage dans un canal etroit a travers la couche active (16.2). Des lasers de ce type presentent des puissances de sorties relativement elevees (p. ex.: 400 mW), des caracteristiques L-I lineaires, un mode transversal fondamental stable et un seul mode longitudinal oscillatoire. Dans une autre forme d"execution (fig. 3), les surfaces (16.3) de la couche guide d"onde adjacentes a la couche active (16.2) possedent des reseaux de retroaction (30) distribues. Des techniques pour former la couche active sans y introduire des defauts affaiblissants sont decrites aussi bien que des procedures pour la croissances LPE de couches de composes du groupe III-V contenant de l"A1 qui sont exposees a un traitement dans l"atmosphere.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)