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1. (WO1979000340) LITHOGRAPHIE A RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1979/000340    N° de la demande internationale :    PCT/US1978/000179
Date de publication : 14.06.1979 Date de dépôt international : 30.11.1978
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
857380 05.12.1977 US
Titre (EN) X-RAY LITHOGRAPHY
(FR) LITHOGRAPHIE A RAYONS X
Abrégé : front page image
(EN)X-ray lithographic system as heretofore constructed include a low-attenuation chamber (40) for propagating x-rays from a source (32) toward a mask member (44) that is positioned in close proximity to a resistcoated wafer (49). Both the mask and the wafer are included in the chamber which typically is either filled with helium or evacuated to a pressure less than about 10-2 Torr. In accordance with this invention, an x-ray lithographic system is constructed to enable establishment in the wafer-to-mask region of a controlled atmosphere that is separate and distinct from that main- tained in the low-attenuation chamber. In this way, an improved lithographic system with advantageous throughput and other characteristics is realized.
(FR)Les systemes lithographiques a rayons X fabriques jusqu"a present comprennent une chambre a faible attenuation (40) de propagation des rayons X provenant d"une source (32) et diriges vers un cache (44) qui est place a proximite etroite d"un disque avec revetement - reserve (49). Le cache et le disque sont inclus dans la chambre qui est, de facon caracteristique, soit remplie d"helium, soit sous vide a une pression inferieure a 10-2 Torr environ. Selon cette invention, un systeme lithographique a rayons X est construit pour permettre d"etablir, dans la region disque-cache, une atmosphere controlee qui est separee et differente de celle maintenue dans la chambre a faible attenuation. De cette maniere, on obtient un systeme lithographique ameliore ayant un debit de traitement avantageux et d"autres avantages.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)