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1. US20130220417 - SOLAR CELL

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 13592545
Date de la demande 23.08.2012
Numéro de publication 20130220417
Date de publication 29.08.2013
Type de publication A1
CIB
H01L 31/0376
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
0376comprenant des semi-conducteurs amorphes
CPC
H01L 31/0376
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
0376including amorphous semiconductors
Déposants BABA Toshiaki
SANYO Electric Co., Ltd.
Inventeurs BABA Toshiaki
Données relatives à la priorité 2010037971 23.02.2010 JP
Titre
(EN) SOLAR CELL
Abrégé
(EN)

A solar cell includes a crystalline Si layer including a pn junction and a semiconductor layer formed on a first main surface of the crystalline Si layer. The semiconductor layer has the same conductivity as a portion of the crystalline Si layer that is in contact with the semiconductor layer. The open circuit voltage under light irradiation onto the solar cell is different from a level difference between the quasi Fermi level of electrons and the quasi Fermi level of holes in the crystalline Si layer.


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