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1. US20130141166 - POWER AMPLIFIER TUBE AND POWER AMPLIFICATION METHOD

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 13502382
Date de la demande 27.10.2011
Numéro de publication 20130141166
Date de publication 06.06.2013
Type de publication A1
CIB
H03F 3/68
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
68Combinaisons d'amplificateurs, p.ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
H03F 3/193
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193comportant des dispositifs à effet de champ
CPC
H03F 3/68
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
H03F 3/193
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
193with field-effect devices
Déposants He Gang
ZTE CORPORATION
Chen Huazhang
Cui Xiaojun
Inventeurs He Gang
Chen Huazhang
Cui Xiaojun
Données relatives à la priorité 201110110892.7 29.04.2011 CN
Titre
(EN) POWER AMPLIFIER TUBE AND POWER AMPLIFICATION METHOD
Abrégé
(EN)

A power amplifier tube and a power amplification method are disclosed in the present invention. The power amplifier tube includes a high voltage heterojunction bipolar transistor (HVHBT) power amplifier tube core and a high electron mobility transistor (HEMT) power amplifier tube core, and the HVHBT power amplifier tube core and the HEMT power amplifier tube core are integrated in the same encapsulation. In the present invention, it should be configured as a Doherty amplifier, and the power tube is designed in a breakthrough combination manner of new power amplifier tube cores, compared with all the existing Doherty amplifiers which employ LDMOS power amplifier tube cores, the power amplification with high efficiency can be achieved on the basis of ensuring small volume of power amplifier tube.


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