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1. US20120298957 - Light receiving element, light receiving element array, hybrid-type detecting device, optical sensor device, and method for producing light receiving element array

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Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 13520007
Date de la demande 10.03.2011
Numéro de publication 20120298957
Date de publication 29.11.2012
Numéro de délivrance 08921829
Date de délivrance 30.12.2014
Type de publication B2
CIB
H01L 29/06
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 27/146
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 27/14652
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14649Infra-red imagers
14652Multispectral infra-red imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
H01L 27/14694
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14694The active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
Déposants Iguchi Yasuhiro
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Inada Hiroshi
Nagai Youichi
Nakahata Hideaki
Akita Katsushi
Ishizuka Takashi
Fujii Kei
Inventeurs Iguchi Yasuhiro
Inada Hiroshi
Nagai Youichi
Nakahata Hideaki
Akita Katsushi
Ishizuka Takashi
Fujii Kei
Mandataires Venable LLP
Sartori Michael A.
Aga Tamatane J.
Données relatives à la priorité 2010070993 25.03.2010 JP
Titre
(EN) Light receiving element, light receiving element array, hybrid-type detecting device, optical sensor device, and method for producing light receiving element array
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Abrégé
(EN)

The present invention provides a light receiving element array etc., having a high light-reception sensitivity in the near-infrared region, an optical sensor device, and a method for producing the light receiving element array. A light receiving element array 55 includes an n-type buffer layer 2 disposed on an InP substrate 1, an absorption layer 3 having a type-II MQW, a contact layer 5 disposed on the absorption layer, and a p-type region extending to the n-type buffer layer 2 through the absorption layer 3, wherein the p-type region formed by selective diffusion is separated from the p-type region of an adjacent light receiving element by a region that is not subjected to selective diffusion, and, in the n-type buffer layer, a p-n junction 15 is formed on a crossed face of a p-type carrier concentration of the p-type region and an n-type carrier concentration of the buffer layer.
Documents de brevet associés
JP2011204920
EP2551908
WO/2011/118399
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