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1. US08076250 - PECVD oxide-nitride and oxide-silicon stacks for 3D memory application

Office États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 12899401
Date de la demande 06.10.2010
Numéro de publication 08076250
Date de publication 13.12.2011
Numéro de délivrance 08076250
Date de délivrance 13.12.2011
Type de publication B1
CIB
H01L 21/31
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants Applied Materials, Inc.
Inventeurs Rajagopalan Nagarajan
Han Xinhai
Park Ji Ae
Kiyohara Tsutomu
Park Sohyun
Kim Bok Hoen
Mandataires Dergosits & Noah LLP
Titre
(EN) PECVD oxide-nitride and oxide-silicon stacks for 3D memory application
Abrégé
(EN)

A layer stack of different materials is deposited on a substrate in a single plasma enhanced chemical vapor deposition processing chamber while maintaining a vacuum. A substrate is placed in the processing chamber and a first processing gas is used to form a first layer of a first material on the substrate. A plasma purge and gas purge are performed before a second processing gas is used to form a second layer of a second material on the substrate. The plasma purge and gas purge are repeated and the additional layers of first and second materials are deposited on the layer stack.

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