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1. US20090053124 - Method for purification of disilicon hexachloride and high purity disilicon hexachloride

Office États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 11910459
Date de la demande 17.03.2006
Numéro de publication 20090053124
Date de publication 26.02.2009
Numéro de délivrance 7740822
Date de délivrance 22.06.2010
Type de publication B2
CIB
C01B 33/00
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
C01B 33/08
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
08Composés halogénés
B01D 15/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
DSÉPARATION
15Procédés de séparation comportant le traitement de liquides par des adsorbants ou des absorbants solides; Appareillages pour ces procédés
CPC
C01B 33/10784
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
08Compounds containing halogen
107Halogenated silanes
10778Purification
10784by adsorption
Déposants Toagosei Co., Ltd.
Inventeurs Ishikawa Koji
Suzuki Hiroshi
Kimata Yoshinori
Mandataires Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
Données relatives à la priorité 2005111438 07.04.2005 JP
Titre
(EN) Method for purification of disilicon hexachloride and high purity disilicon hexachloride
Abrégé
(EN)

The objective of the present invention is to provide a method for obtaining a high purity disilicon hexachloride by removing a silanol with good efficiency from a disilicon hexachloride material containing the silanol as an impurity. The purification method for disilicon hexachloride of the present invention comprises a process for contacting a disilicon hexachloride material containing disilicon hexachloride and a silanol as an impurity with an adsorbent material such as activated carbon to remove the silanol. The method may further comprise a distillation process. The above processes are preferably performed in an atmosphere of an inert gas.