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Paramétrages

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1. US20080102621 - Methods of fabricating a barrier layer with varying composition for copper metallization

Office États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 11591310
Date de la demande 31.10.2006
Numéro de publication 20080102621
Date de publication 01.05.2008
Numéro de délivrance 07863179
Date de délivrance 04.01.2011
Type de publication B2
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
4763
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/4763
Déposants Lam Research Corporation
Inventeurs Yoon Hyungsuk Alexander
Redeker Fritz
Mandataires Martine Penilla & Gencarella, LLP
Titre
(EN) Methods of fabricating a barrier layer with varying composition for copper metallization
Abrégé
(EN)

Various embodiments provide improved processes and systems that produce a barrier layer with decreasing nitrogen concentration with the increase of film thickness. A barrier layer with decreasing nitrogen concentration with film thickness allows the end of barrier layer with high nitrogen concentration to have good adhesion with a dielectric layer and the end of barrier layer with low nitrogen concentration (or metal-rich) to have good adhesion with copper. An exemplary method of depositing a barrier layer on an interconnect structure is provided. The method includes (a) providing an atomic layer deposition environment, (b) depositing a barrier layer on the interconnect structure with a first nitrogen concentration during a first phase of deposition in the atomic layer deposition environment. The method further includes (c) continuing the deposition of the barrier layer on the interconnect structure with a second nitrogen concentration during a second phase deposition in the atomic layer deposition environment.